دانلود مقالات ISI درباره Rpcvd + ترجمه فارسی

Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology

Keywords: FinFET; SiGe selective epitaxy; RPCVD; High-k & metal gate;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Lateral solid phase epitaxy of amorphously grown Si1 − xGex layers on SiO2/Si(100) substrates using in-situ RPCVD postannealing

Keywords: Si; SiGe; Si2H6; Boron; RPCVD; Epitaxy; Annealing; Solid phase epitaxy; HBT;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22 nm node pMOSFETs

Keywords: CMOS; SiGe; Selective epitaxy; RPCVD

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Integration of highly-strained SiGe materials in 14 nm and beyond nodes FinFET technology

Keywords: CMOS; FinFET; SiGe selective epitaxy; RPCVD

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Ultralow temperature ramping rate of LT to HT for the growth of high quality Ge epilayer on Si (1 0 0) by RPCVD

Keywords: Semiconductor; Germanium; Epitaxial growth; RPCVD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth of GeSnSiC layers for photonic applications

Keywords: GeSnSi; Sn segregation; Strain engineering; RPCVD; Germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High strain embedded-SiGe via low temperature reduced pressure chemical vapor deposition

Keywords: SiGe; Selective; RPCVD; Epitaxy; Strained-silicon; Stressors; HCl; Low-temperature

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Solid-phase epitaxy of amorphous silicon films by in situ postannealing using RPCVD

Keywords: Si; Si2H6; As-doping; RPCVD; Epitaxy; Annealing; Solid-phase epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High strain amount in recessed junctions induced by selectively deposited boron-doped SiGe layers

Keywords: Selective epitaxy; RPCVD; Boron doping; Recessed junctions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Low temperature selective epitaxial growth of SiGe layers using various dielectric mask patterns and process conditions

Keywords: Selective epitaxial growth; SiGe; RPCVD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه