Keywords: سیلیکون نیمه رسانا; Crystal-melt interface; Crystallization; Grain boundary grooves; Semiconducting silicon;
مقالات ISI سیلیکون نیمه رسانا (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: سیلیکون نیمه رسانا; Defects; Impurities; Solar cells; Semiconducting silicon; Industrial crystallization; Diffusion;
Keywords: سیلیکون نیمه رسانا; Crystal structure; Directional crystallization; Industrial crystallization; Semiconducting silicon
Keywords: سیلیکون نیمه رسانا; Computer simulation; Line defects; Stresses; Semiconducting silicon;
Keywords: سیلیکون نیمه رسانا; Defects; Dislocations; Growth from melt; Industrial crystallization; Semiconducting silicon; Solar cells;
Simulation of ultrasound influence on melt convection for the growth of GaxIn1âxSb and Si single crystals by the Czochralski method
Keywords: سیلیکون نیمه رسانا; Standing wave channel; Convective flow; Crystal growth; Semiconducting III-V materials; Semiconducting silicon;
Epitaxy of Si:C on Si(001) via methyldichlorosilane
Keywords: سیلیکون نیمه رسانا; Semiconducting silicon; Chemical vapor deposition; Silicon carbon alloy; nMOSFET; Stressor;
Analysis of grain orientation in cold crucible continuous casting of photovoltaic Si
Keywords: سیلیکون نیمه رسانا; Semiconducting silicon; Solar cells; Growth from melt; Characterization grain boundary; Twin;
Partly three-dimensional global modeling of a silicon Czochralski furnace. II. Model application: Analysis of a silicon Czochralski furnace in a transverse magnetic field
Keywords: سیلیکون نیمه رسانا; Computer simulation; Global modeling; Czochralski method; Transverse magnetic field; Semiconducting silicon
Partly three-dimensional global modeling of a silicon Czochralski furnace. I. Principles, formulation and implementation of the model
Keywords: سیلیکون نیمه رسانا; Computer simulation; Global modeling; Czochralski method; Radiation; Semiconducting silicon