دانلود مقالات ISI درباره اتصال کوچک + ترجمه فارسی

A study on NiGe-contacted Ge n+/p Ge shallow junction prepared by dopant segregation technique

Keywords: اتصال کوچک; Germanium; Shallow junction; Contact resistance; Nickel germanide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Shallow junction characteristics due to low temperature BGe molecular ion implantation into silicon

Keywords: اتصال کوچک; 61.72.Tt; 61.80.Jh; 81.40.Ef; 85.40.Ry; 84.37.tq; 73.40.Kp; Molecular ion implantation; Shallow junction; Annealing; Transient-enhanced diffusion; Junction depth; Sheet resistance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Preparation, characterization and application of RF sputter deposited boron doped silicon dioxide thin films

Keywords: اتصال کوچک; RF magnetron sputtering; Boron doped oxide; Thin film boron source; Diffusion; SIMS; Shallow junction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characteristics of fast ions from laser-induced plasma and their applicability to shallow junction doping

Keywords: اتصال کوچک; Laser-induced plasma; Ion implantation; Shallow junction

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characterization of radiation damage induced by B and B4 ion implantation into silicon

Keywords: اتصال کوچک; Cluster ion implantation; Shallow junction; Annealing; Transient-enhanced diffusion; Junction depth; Sheet resistance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Photon-induced phonon excitation process as low-temperature nonequillibrium nano-surface modification of silicon

Keywords: اتصال کوچک; Phonon excitation; Low-temperature process; Nonequillibrium process; Ultra-short pulse laser; Shallow junction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Formation of As enriched layer by steam oxidation of As+-implanted Si

Keywords: اتصال کوچک; 61.72.uf (silicon, doping and ion implantation); Thermal oxidation; Rutherford Backscattering Spectroscopy; Ion implantation; Shallow junction; As impurity;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Post-annealing effects on the shallow-junction characteristics caused by high-fluence 77 keV BSi molecular ion implantations at room and liquid nitrogen temperatures

Keywords: اتصال کوچک; 61.72.Tt; 61.80.Jh; 81.40.Ef; 85.40.Ry; 84.37.Tq; 73.40.KpMolecular ion implantation; Shallow junction; Annealing; Transient-enhanced diffusion; Junction depth; Sheet resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Two-step post-annealing effects on the shallow-junction characteristics produced by BGe molecular ion implantation

Keywords: اتصال کوچک; 61.72.Tt; 61.80.Jh; 81.40.Ef; 85.40.Ry; 84.37.tq; 73.40.KpMolecular ion implantation; Shallow junction; Annealing; Transient-enhanced diffusion; Sheet resistance; Junction depth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Phosphorus diffusion into silicon after vapor phase surface adsorption of phosphine

Keywords: اتصال کوچک; Shallow junction; Phosphorus diffusion; Pile-up; Phosphine adsorption; Atomic-layer doping;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The effects of energy non-monochromaticity of 11B ion beams on 11B diffusion

Keywords: اتصال کوچک; 66.30.Jt; 61.72.Ss; 61.72.Ji; Shallow junction; Boron diffusion; Energy contamination;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

X-ray multiple diffraction on the shallow junction of B in Si(0 0 1)

Keywords: اتصال کوچک; X-ray diffraction; X-ray multiple diffraction; Semiconductors; Ion implantation; Shallow junction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Merits and demerits of light absorbers for ultra-shallow junction formation by green laser annealing

Keywords: اتصال کوچک; 85.40.Ry; Laser annealing; Si; Green laser; Shallow junction; Absorber;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Ion implantation of boron into silicon by use of the boron cathodic-arc plasma generator: First results

Keywords: اتصال کوچک; Boron; Cathodic arc; Shallow junction; Doping; Amorphization; Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Post-annealing effects on shallow-junction characteristics caused by 20 keV BGe molecular ion implantation

Keywords: اتصال کوچک; 61.72.Tt; 61.80.Jh; 81.40.Ef; 85.40.Ry; 84.37.tq; 73.40.Kp; Molecular ion implantation; Shallow junction; Annealing; Transient-enhanced diffusion; Sheet resistance; Junction depth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه