دانلود مقالات ISI درباره Sige Channel + ترجمه فارسی

Scalability comparison between raised- and embedded-SiGe source/drain structures for Si0.55Ge0.45 implant free quantum well pFET

Keywords: SiGe channel; Raised source/drain; Embedded SiGe stressor; Epitaxy; Quantum well;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Effect of contact-etch-stop-layer and Si1-xGex channel mechanical properties on nano-scaled short channel NMOSFETs with dummy gate arrays

Keywords: SiGe channel; CESL; Finite element analysis; Dummy gate array;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

The effect of CESL and dummy poly gate for n-type MOSFETs with short Si0.75Ge0.25 channel

Keywords: Contact-etch-stop-layer (CESL); SiGe channel; Dummy poly gate; Piezoresistance coefficients;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Mechanical property effects of Si1 − xGex channel and stressed contact etching stop layer on nano-scaled n-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors

Keywords: SiGe channel; CESL; Finite element analysis (FEA);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Performance enhancement in p-channel charge-trapping flash memory devices with Si/Ge super-lattice channel and band-to-band tunneling induced hot-electron injection

Keywords: Charge-trapping flash memory; Super-lattice channel; SiGe channel; Atomic layer deposition (ALD); High-κ

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Substrate dependent mobility and strain effects for silicon and SiGe transistor channels with HKMG first stacks

Keywords: CMOS; Mobility enhancement; SiGe channel; Strained silicon; Stress; Substrate orientation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

HfO2 nanocrystal memory on SiGe channel

Keywords: Hafnium oxide; Nanocrystals; Nonvolatile memories; Flash memory; SiGe channel

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Phenomena of n-type metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistors with contact etch stop layer stressor for different channel lengths

Keywords: Strained-Si technology; Contact etch stop layer (CESL); SiGe channel; Stress simulation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of Ge proportion on advanced SiGe bulk P-MOSFET matching performances

Keywords: P-MOS transistors; Bulk technology; High k/metal gate; SiGe channel; Threshold voltage mismatch; Current gain factor/drain current mismatch

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

SiGe channels for VT control of high-k metal gate transistors for 32 nm complementary metal oxide semiconductor technology and beyond

Keywords: SiGe channel; Epitaxy; VT control

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Control of topography and morphology for channel SiGe by in-situ HCl etching for future CMOS technologies with high-K metal gate

Keywords: SiGe channel; In-situ HCl etching; Epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه