Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Bi2Te3; Bismuth Telluride; BSST; Thermoelectric material manufacturer; DC; Direct Current; IAV; Ingenieurgesellschaft Auto und Verkehr; JPL; Jet Propulsion Laboratory; MMRTG; Multi-Mission Radioisotope Thermoelectric Generator; NASA; National Aeronautics
مقالات ISI سیلیکون ژرمانیوم (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Silicon-germanium; Solid phase crystallization; Thin films; Low temperature crystallization;
Investigations of the possibility of determination of thermal parameters of Si and SiGe samples based on the Photo Thermal Radiometry technique
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Nondestructive testing; Contactless methods; Thermal waves; Plasma waves; Photo Thermal Radiometry; Silicon; Silicon-germanium; Thermal parameters; Recombination parameters;
Lattice Boltzmann Modeling of the Dissolution Process of Silicon into Germanium using a Simplified Crystal Growth Technique
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Lattice Boltzmann Method; Silicon-Germanium; Dissolution; Crystal Growth; Magnetic field;
Magnetoresistance of proton irradiated Si0.97Ge0.03 whiskers
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Whiskers; Silicon-germanium; Proton irradiation; Resistance; Magnetic field; Magnetoresistance; Mobility;
Short channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Short-channel effect; Silicon-germanium; Heterojunction technique; Sub-10-nm transistor; Tunnel field-effect transistor (TFET);
Investigations of root strengthening in thermal treated Si0.80Ge0.20 and Si0.75Ge0.25 films
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Silicon-germanium; Ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition; Scanning probe microscope;
Enhanced electrical properties of nominally undoped Si/SiGe heterostructure nanowires grown by molecular beam epitaxy
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Nanowire; Silicon-Germanium; MBE
Ge(5 Ã 5) as a wetting layer on Si(1 1 1)
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Surface relaxation and reconstruction; Silicon-germanium; Density functional calculations; Semiconductor-semiconductor interfaces;
MBE growth of Ge/Si quantum dots upon low-energy pulsed ion irradiation
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Molecular beam epitaxy; Silicon-germanium; Quantum dots; Ion bombardment
Nanoscale strain characterisation for ultimate CMOS and beyond
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Characterisation; Nanoscale; Nanowire; Raman spectroscopy; Resolution; Silicon; Silicon-germanium; Strain; Strained silicon-on-insulator
Structural, optical and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon germanium (a-Si1−xGex) deposited by DC magnetron sputtering at high rate
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Thin films; Silicon-germanium; Optical gap; Infrared absorption; Conductivity and photoconductivity
Epitaxial growth of Ge and SiGe on Si substrates
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Silicon-germanium; Molecular-beam epitaxy (MBE)
Characterisation of virtual substrates with ultra-thin Si0.6Ge0.4 strain relaxed buffers
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; 68.55; 81.15; 68.55.-a; 78.30; 68.37.-d; Silicon-germanium; Ultrathin virtual substrates; Molecular beam epitaxy; Point defects; High strain relaxation;
A compact 21Â GHz inductorless differential quadrature ring oscillator implemented in SiGe HBT technology
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; 85.40; Silicon-germanium; Heterojunction bipolar transistor; SiGe HBT; Ring oscillator; Quadrature; Differential;
Improved thermal stability and hole mobilities in a strained-Si/strained-Si1âyGey/strained-Si heterostructure grown on a relaxed Si1âxGex buffer
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; MOSFET; Thermal stability; Hole mobility; Diffusion; Silicon-germanium;
Lateral growth and three-dimensional effects in contacts between NiSi0.82Ge0.18 and p+-Si0.82Ge0.18
Keywords: سیلیکون ژرمانیوم; Nickel silicides; Silicon-germanium; Contacts; Interfaces;