کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8033254 | 1517967 | 2018 | 28 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of crystalline silicon-germanium thin films on silicon substrates by solid phase crystallization
ترجمه فارسی عنوان
شکل گیری فیلم های نازک سیلیکون-ژرمانیوم بر روی سیلیکون با استفاده از کریستال شدن فاز جامد
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سیلیکون ژرمانیوم، کریستال شدن فاز جامد، فیلم های نازک کریستالیزاسیون دمای پایین،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
We have researched on the formation of crystalline silicon-germanium (c-SiGe) films as a new material for bottom cells of silicon-based multi-junction solar cells. We conducted solid phase crystallization (SPC) from amorphous SiGe (a-SiGe) precursors with 80-70% Ge fraction deposited on n-type [100] single crystalline silicon (c-Si) substrates. Preferential crystal growth following the orientation of c-Si substrates is successfully done by the SPC at temperatures from 500 to 950 °C, although X-ray diffraction indicates that the c-SiGe films have the mosaic structures consisting of crystalline domains with several tens of nanometers. Lower SPC temperature is more appropriate to obtain better crystallinity SiGe with larger domain size and lower mosaicity as long as the crystallization occurs. The inter-diffusion between the a-SiGe precursors and Si substrates occurs at relatively high SPC temperatures (â¥Â 850 °C), and the Ge fraction in the c-SiGe films becomes lower than that in the a-SiGe precursors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 645, 1 January 2018, Pages 203-208
Journal: Thin Solid Films - Volume 645, 1 January 2018, Pages 203-208
نویسندگان
Alaa Hamdoh, Tetsuya Kaneko, Masao Isomura,