![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Tuning tunnel barrier in Si3N4-based resistive memory embedding SiO2 for low-power and high-density cross-point array applications
Keywords: مانع تونل; Resistive random-access memory (RRAM); Silicon nitride (Si3N4); Silicon dioxide (SiO2); Tunnel barrier