کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10139647 1645971 2018 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Radiation-tolerance analysis of I-gate n-MOSFET according to isolation oxide module in the CMOS bulk process
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Radiation-tolerance analysis of I-gate n-MOSFET according to isolation oxide module in the CMOS bulk process
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 200, 15 November 2018, Pages 45-50
نویسندگان
, , , ,