کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10139647 | 1645971 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Radiation-tolerance analysis of I-gate n-MOSFET according to isolation oxide module in the CMOS bulk process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Radiation-tolerance analysis of I-gate n-MOSFET according to isolation oxide module in the CMOS bulk process Radiation-tolerance analysis of I-gate n-MOSFET according to isolation oxide module in the CMOS bulk process](/preview/png/10139647.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 200, 15 November 2018, Pages 45-50
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 200, 15 November 2018, Pages 45-50
نویسندگان
Minwoong Lee, Seongik Cho, Namho Lee, Jongyeol Kim,