کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10155728 | 1666359 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth mechanism, field emission and photoluminescence property of Ge-doped hexagonal cone-shaped GaN nanorods
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The Ge-doped hexagonal cone-shaped GaN nanorods have been synthesized by the VLS process. The variation of N-rich condition and Ga-rich condition in reaction chamber results in the morphology of the Ge-doped GaN nanorods being hexagonal cone-shaped. The Ge-doped hexagonal cone-shaped GaN nanorods exhibit an excellent emission property with typical turn-on electric field as low as 2.93â¯V/μm, this indicates that the Ge-doped hexagonal cone-shaped GaN nanorods could be well used in cold cathode electron source applications. The photoluminescence spectrum of the Ge-doped hexagonal cone-shaped GaN nanorods indicates it could be applied in blue-violet and ultraviolet photoelectric devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 122, October 2018, Pages 404-409
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 122, October 2018, Pages 404-409
نویسندگان
Enling Li, Binyue Zhao, Shitao Lv, Zhen Cui, Deming Ma, Meiqin Li,