کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10155739 | 1666359 | 2018 | 20 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
sp3sâ tight-binding calculation of band edges and effective masses of InAs/GaSb superlattices with different interface structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The band edge energy and effective mass of InAs/GaSb type II superlattices on a (001) GaSb substrate have been investigated using the empirical sp3sâ tight-binding method. The influence of interfacial bonds on electronic properties has been clarified in typical superlattices of (InAs)n(GaSb)n with C2v point group symmetry and both (InAs)n(InSb)(GaSb)n and (InAs)n(GaSb)n(GaAs) superlattices with D2d point group symmetry. In the short period region of superlattices, we found that the band offsets in the vicinity of the hetero interfaces significantly impact on the band edges and that interfacial Ga-As bonds specifically cause large anisotropy of in-plane effective masses in (InAs)n(GaSb)n superlattices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 122, October 2018, Pages 492-500
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 122, October 2018, Pages 492-500
نویسندگان
Takashi Kato, Satofumi Souma,