کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10156433 | 1666394 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface passivation of InP using an organic thin film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Surface passivation of InP using an organic thin film Surface passivation of InP using an organic thin film](/preview/png/10156433.png)
چکیده انگلیسی
We demonstrate the surface passivation of InP using thin layers of a perylenetetracarboxylic diimide derivative (PTCDI-C9) applied via organic vapor phase deposition (OVPD). The organic layer forms a conformal crystalline film on the InP surface, which is confirmed by atomic force microscopy and X-ray diffraction. Area-dependent photoluminescence measurements indicate that the coating reduces surface recombination. The organic thin film deposited by OVPD exhibits improved photoconductivity compared to an unpassivated InP sample, and to a layer deposited via vacuum thermal evaporation. Our results suggest that semiconductor surface passivation using organic thin films deposited by OVPD has applications to a variety of optoelectronic devices, particularly with structures requiring sidewall or conformal coatings.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 503, 1 December 2018, Pages 9-12
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 503, 1 December 2018, Pages 9-12
نویسندگان
Byungjun Lee, Xiao Liu, Kyusang Lee, Dejiu Fan, Byung Jun Jung, Stephen R. Forrest,