کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10249256 | 49484 | 2005 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of P gettering thermal step on light-induced degradation in Cz Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Influence of P gettering thermal step on light-induced degradation in Cz Si Influence of P gettering thermal step on light-induced degradation in Cz Si](/preview/png/10249256.png)
چکیده انگلیسی
To evaluate the effect of the defect activation in the performance of solar cells, PC1D simulations of a specific P/Al structure have been performed, and results show that efficiencies in the range of 18% can be achieved in the degraded state, with a reduction of more than half a point of efficiency from the non-degraded state in the best case.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 88, Issue 3, 15 August 2005, Pages 247-256
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 88, Issue 3, 15 August 2005, Pages 247-256
نویسندگان
L.J. Caballero, C. del Cañizo, P. Sánchez-Friera, A. Luque,