کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10249267 | 49484 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Monitoring of silicon solar cell technology via the surface photovoltage method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The surface photovoltage (SPV) technique adapted to thin samples was used to monitor solar cell technology. The relatively short minority carrier diffusion length from 70 to 80 μm found in p-bulk of the cells results from the presence of a layer with structural defects near the surface. The measurement of successively etched samples reveals that freshly cut off silicon wafers are already strongly destroyed to a depth of at least 35 μm. A diffusion length of about 300 μm was evaluated in the samples after removing the disturbed layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 88, Issue 3, 15 August 2005, Pages 331-337
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 88, Issue 3, 15 August 2005, Pages 331-337
نویسندگان
J. TouÅ¡ek, J. TouÅ¡ková, A. Poruba,