کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10268844 | 459687 | 2011 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrochemically etched pores and wires on smooth and textured GaAs surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Triangular GaAs nanowires were observed at low potentials while pronounced lateral etching occurred at high potentials. ⺠A pore growth direction was changed from ã1 1 1ãB to ã0 0 1ã at a high current density. ⺠Tetrahedron-like pores along ã1 1 1ãB transformed into 200 μm-deep pores along the ã0 0 1ã direction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 56, Issue 14, 30 May 2011, Pages 5071-5079
Journal: Electrochimica Acta - Volume 56, Issue 14, 30 May 2011, Pages 5071-5079
نویسندگان
Xiaopeng Li, Zhongyi Guo, Yanjun Xiao, Han-Don Um, Jung-Ho Lee,