کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10268844 459687 2011 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrochemically etched pores and wires on smooth and textured GaAs surfaces
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electrochemically etched pores and wires on smooth and textured GaAs surfaces
چکیده انگلیسی
► Triangular GaAs nanowires were observed at low potentials while pronounced lateral etching occurred at high potentials. ► A pore growth direction was changed from 〈1 1 1〉B to 〈0 0 1〉 at a high current density. ► Tetrahedron-like pores along 〈1 1 1〉B transformed into 200 μm-deep pores along the 〈0 0 1〉 direction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 56, Issue 14, 30 May 2011, Pages 5071-5079
نویسندگان
, , , , ,