کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364188 | 871506 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ni-salicided CMOS with a poly-SiGe/Al2O3/HfO2/Al2O3 gate stack
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ni-salicided MOSFETs with a gate stack of ALD Al2O3/HfO2/Al2O3 high-κ dielectric and poly-SiGe gate electrode were fabricated. The Si pMOSFETs with an EOT of 1.7 nm showed an expected gate leakage current reduction compared to SiO2 with the same EOT and a mobility around 20% lower than the universal curve. The strained SiGe surface-channel pMOSFETs with the same gate stack showed an enhanced current drive and hole mobility. The Si nMOSFETs, however, exhibited a degraded subthreshold slope and a lower current drive even compared with the Si pMOSFETs. Possible reasons for the degradation of Si nMOSFETs were discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 77, Issue 1, January 2005, Pages 36-41
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 77, Issue 1, January 2005, Pages 36-41
نویسندگان
D. Wu, M. von Haartman, J. Seger, E. Tois, M. Tuominen, P.-E. Hellström, M. Ãstling, S.-L. Zhang,