کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10407031 | 892830 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of the Germanium content on the amorphization of silicon-germanium alloys during ion implantation
ترجمه فارسی عنوان
تأثیر محتوای ژرمانیم بر روی آمورفیزاسیون آلیاژهای سیلیکون-ژرمانیوم در طی کاشت یون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
We have studied by transmission electron microscopy the amorphization of silicon-germanium (SiGe) alloys by Ge+ implantation. We show that when implanted with the same amorphization dose, the resulting amorphous layers get narrower when the Ge content increases. The experimental results can be simulated using the critical damage energy density model assuming that the amorphization threshold rises linearly with the Ge content from 3Â eV/at for pure Si to 5Â eV/at for pure Ge. These results and simulations are needed to optimize the fabrication of highly doped regions in SiGe alloys.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 6, December 2013, Pages 1655-1658
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 6, December 2013, Pages 1655-1658
نویسندگان
A. Belafhaili, L. Laânab, F. Cristiano, N. Cherkashin, A. Claverie,