کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10407047 | 892830 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron transport in passivated AlGaN/GaN/Si HEMTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors (HEMTs) grown by molecular beam epitaxy are investigated using direct-current and radio-frequency measurements. As has been found, the maximum of drain current achieves 881 mA/mm with an extrinsic current gain cutoff frequency of 37 GHz for a 0.25 µm gate length. Pulsed characteristics also showed a reduction of trapping centers that improves the quality of the epilayers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 6, December 2013, Pages 1775-1778
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 6, December 2013, Pages 1775-1778
نویسندگان
Malek Gassoumi, Hana Mosbahi, Ali Soltani, Vanessa Sbrugnera-Avramovic, Mohamed Ali Zaidi, Christophe Gaquiere, Houcine Mejri, Hassen Maaref,