کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411177 | 894553 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of Pd/Ni/Au ohmic contacts on p-GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterization of Pd/Ni/Au ohmic contacts on p-GaN Characterization of Pd/Ni/Au ohmic contacts on p-GaN](/preview/png/10411177.png)
چکیده انگلیسی
A low-resistance ohmic contact to Mg-doped p-type GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with a carrier concentration of 2 Ã 1017 cmâ3 using Pd/Ni/Au metallization was formed. An anneal at 500 °C for 1 min in a flowing N2 ambient produced an excellent ohmic contact with a specific contact resistivity as low as 2.4 Ã 10â5 Ω cm2. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Auger electron spectroscopy (AES) depth profiles of Pd/Ni/Au contacts annealed at 500 °C demonstrated a strong correlation between Ni and Pd interdiffusion toward the GaN surface and a reduction in specific contact resistance. The low contact resistance is attributed to the reduction of the native oxide by Ni diffusion along with the formation of Pd and Ni related-gallide phases at the p-GaN surface region.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 5, May 2005, Pages 774-778
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 5, May 2005, Pages 774-778
نویسندگان
H.K. Cho, T. Hossain, J.W. Bae, I. Adesida,