کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411205 | 894558 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High frequency investigation of graded gap injectors for GaAs Gunn diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work, we present a detailed high frequency characterization of conventional and optimized Gunn-diodes containing a graded gap injector. It is shown that the Al-concentration in the hot electron injector influences the occupation of the Î- and L-valleys and hence the electron drift velocity in the active Gunn layer. Quantitative values for the occupation of the L-valley can be extracted from the S-parameter measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 2, February 2005, Pages 245-250
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 2, February 2005, Pages 245-250
نویسندگان
Simone Montanari, Arno Förster, Mihail Ion Lepsa, Hans Lüth,