کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10411205 894558 2005 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High frequency investigation of graded gap injectors for GaAs Gunn diodes
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
High frequency investigation of graded gap injectors for GaAs Gunn diodes
چکیده انگلیسی
In this work, we present a detailed high frequency characterization of conventional and optimized Gunn-diodes containing a graded gap injector. It is shown that the Al-concentration in the hot electron injector influences the occupation of the Γ- and L-valleys and hence the electron drift velocity in the active Gunn layer. Quantitative values for the occupation of the L-valley can be extracted from the S-parameter measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 2, February 2005, Pages 245-250
نویسندگان
, , , ,