کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411713 | 894783 | 2005 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fowler-Nordheim high electric field stress of power VDMOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The analysis of defect generations in SiO2 and at SiO2/Si interface during positive/negative high electric field stress of commercial n-channel power VDMOSFETs has been given. Some additional experiments containing the gate bias switching have helped in these defects nature investigations. The combined application of midgap subthreshold technique and charge pumping technique have represented very useful tool for the switching trap behavior revealing. The fixed trap density (ÎNft) and switching trap density (ÎNst) in two power VDMOSFET types during Fowler-Nordheim injections have shown different behaviors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 7, July 2005, Pages 1140-1152
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 7, July 2005, Pages 1140-1152
نویسندگان
Goran S. RistiÄ, MomÄilo M. PejoviÄ, Aleksandar B. JakÅ¡iÄ,