کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411916 | 894841 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evolution of materials technology for stacked-capacitors in 65Â nm embedded-DRAM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The architecture, materials choice and process technology for stacked-capacitors in embedded-DRAM applications are a crucial concern for each new technology node. An overview of the evolution of capacitor technology is presented from the early days of planar PIS (poly/insulator/silicon) capacitors to the MIM (metal/insulator/metal) capacitors used for todays 65Â nm technology node. In comparing Ta2O5, HfO2 and Al2O3 as high-k dielectric for use in 65Â nm eDRAM technology, Al2O3 is found to give a good compromise between capacitor performance and manufacturability. The use of atomic layer deposition (ALD) is identified to be an enabling technology for both high-k dielectrics and capacitor electrodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 11, November 2005, Pages 1767-1775
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 11, November 2005, Pages 1767-1775
نویسندگان
Eric Gerritsen, Nicolas Emonet, Christian Caillat, Nicolas Jourdan, Marc Piazza, David Fraboulet, Bruce Boeck, Audrey Berthelot, Steven Smith, Pascale Mazoyer,