کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10413352 | 895562 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new memory effect (MSD) in fully depleted SOI MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We demonstrate that the transconductance and drain current of fully depleted MOSFETs can display an interesting time-dependent hysteresis. This new memory effect, called meta-stable dip (MSD), is mainly due to the long carrier generation lifetime in the silicon film. Our parametric analysis shows that the memory window can be adjusted in view of practical applications. Various measurement conditions and devices with different doping, front oxide and silicon film thicknesses are systematically explored. The MSD effect can be generalized to several fully depleted CMOS technologies. The MSD mechanism is discussed and validated by two-dimensional simulations results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 9, September 2005, Pages 1547-1555
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 9, September 2005, Pages 1547-1555
نویسندگان
M. Bawedin, S. Cristoloveanu, J.G. Yun, D. Flandre,