Keywords: کاملا تخریب شده; Subthreshold; Partially depleted; Fully depleted; Sensitivity; Nanowire
مقالات ISI کاملا تخریب شده (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Operation of thin-film gated SOI lateral PIN photodetectors with gate voltage applied and intrinsic length variation
Keywords: کاملا تخریب شده; Lateral PIN photodetector; SOI; Intrinsic length; Fully depleted; Gate voltage
A novel structure to improve DIBL in fully-depleted silicon-on-diamond substrate
Keywords: کاملا تخریب شده; Silicon-on-insulator; Drain induced barrier lowering; Silicon-on-diamond; Fully depleted; Hydrodynamic model; MOSFET
Gate-induced drain leakage in FD-SOI devices: What the TFET teaches us about the MOSFET
Keywords: کاملا تخریب شده; Fully depleted; Silicon on insulator; Tunneling; Field effect transistor; Gate-induced drain leakage
SOI 1T-DRAM cells with variable channel length and thickness: Experimental comparison of programming mechanisms
Keywords: کاملا تخریب شده; Capacitor-less DRAM; 1T-DRAM; MSDRAM; MSD effect; Floating-body; Fully depleted; Silicon-On-Insulator (SOI); Memory; Coupling;
Investigation of pillar thickness variation effect on oblique rotating implantation (ORI)-based vertical double gate MOSFET
Keywords: کاملا تخریب شده; Vertical MOSFET; Oblique rotating ion implantation; Double gate; Silicon thickness effect; Fully depleted
Mobility extraction in SOI MOSFETs with sub 1 nm body thickness
Keywords: کاملا تخریب شده; SOI; MOSFET; Mobility; Fully depleted; Ultra thin body
Dimensional effects and scalability of Meta-Stable Dip (MSD) memory effect for 1T-DRAM SOI MOSFETs
Keywords: کاملا تخریب شده; Capacitor-less; 1T-DRAM; MSDRAM; MSD Effect; Floating-body; Fully depleted; Silicon-on-insulator (SOI); Memory; Coupling; Double-gate
Fabrication of back-illuminated, fully depleted charge-coupled devices
Keywords: کاملا تخریب شده; 85.30.De; 85.40.--e; 85.60.GzCharge-coupled device; Fully depleted; High-resistivity silicon; Back illuminated; Fabrication techniques
Evaluation of graded-channel SOI MOSFET operation at high temperatures
Keywords: کاملا تخریب شده; Graded-channel; SOI MOSFET; High-temperature; Fully depleted; New structure
A new memory effect (MSD) in fully depleted SOI MOSFETs
Keywords: کاملا تخریب شده; Floating body effect; Memory effect; Hysteresis; Fully depleted; Silicon-on-insulator (SOI); MOSFET;
Analytical model for C-V characteristic of fully depleted SOI-MOS capacitors
Keywords: کاملا تخریب شده; Analytical capacitance model; Fully depleted; Silicon-on-insulator; Partially depleted; SOI; FD; PD; C-V characteristic;