کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10620519 988634 2012 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantum confinement effects and band gap engineering of SnO2 nanocrystals in a MgO matrix
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Quantum confinement effects and band gap engineering of SnO2 nanocrystals in a MgO matrix
چکیده انگلیسی
The nanocrystal formations of SnO2 in xSnO2-(100 − x)MgO (x in mol.%) nanocrystalline composite thin films lead to controllable particle size of SnO2 in MgO matrix. Under the controlled choice of composition and annealing conditions, the band gap of SnO2 can be continuously increased from 3.89 eV to 4.5 eV due to quantum confinement effect. The method provides a generic approach for tuning the band gap in nanocomposite systems over a wide range of energy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Acta Materialia - Volume 60, Issue 3, February 2012, Pages 1072-1078
نویسندگان
, , , , , ,