| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 10642320 | 997647 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-assembling of C and Sn in Ge
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Self-assembling of isoelectronic C and Sn impurities in Ge is predicted. The formation of the 1C4Sn tetrahedral cells is thermodynamically profitable in Ge-rich CxSnyGe1âxây (4x
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 28, Issue 4, September 2005, Pages 552-555
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 28, Issue 4, September 2005, Pages 552-555
نویسندگان
V.A Elyukhin, S.F DÃaz Albarrán,