کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10642399 | 997653 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Spin-polarized resonant tunneling in double-barrier structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Transparency of electron tunneling through double barriers of strained hetero-structures like InAs/GaSb/InAs/GaSb/InAs and Si/Si0.75Ge0.25/Si/Si0.75Ge0.25/Si has been calculated as a function of electron energy using the proposed model which includes the combined effects of Dresselhaus and in-plane Rashba spin-orbit interactions. Enhanced spin-polarized resonant tunneling in the double-barrier heterostructures due to Dresselhaus and Rashba spin-orbit coupling induced splitting of the resonant level is observed. Strong suppression of spin-down transmission in SiGe heterostructures is observed. This effect could be employed in the fabrication of spin filters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 28, Issue 3, August 2005, Pages 328-332
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 28, Issue 3, August 2005, Pages 328-332
نویسندگان
K. Gnanasekar, K. Navaneethakrishnan,