کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10642427 | 997657 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Managing disorder in random GaAs/AlGaAs superlattices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Managing disorder in random GaAs/AlGaAs superlattices Managing disorder in random GaAs/AlGaAs superlattices](/preview/png/10642427.png)
چکیده انگلیسی
The artificial random Gaussian-type potential built in the GaAs/AlGaAs superlattices grown by molecular beam epitaxy was explored by various methods. The effect of the intentional disorder was shown to dominate intrinsic superlattice imperfections and its impact on the electronic properties was found to be in good agreement with the theoretical predictions. It was demonstrated that the modern state of the molecular beam epitaxy allows for a growth of the superstructured materials with well-defined disorder strength.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 27, Issue 4, May 2005, Pages 481-486
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 27, Issue 4, May 2005, Pages 481-486
نویسندگان
Yu.A. Pusep,