کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10643587 | 998816 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dynamical behavior of the scanning thermal microscope (SThM) thermal resistive probe studied using Si/SiGe microcoolers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Dynamical behavior of the scanning thermal microscope (SThM) thermal resistive probe studied using Si/SiGe microcoolers Dynamical behavior of the scanning thermal microscope (SThM) thermal resistive probe studied using Si/SiGe microcoolers](/preview/png/10643587.png)
چکیده انگلیسی
We present a simple method for the characterization of the dynamical behavior of the SThM Wollaston wire thermal resistive probe using Si/SiGe microcoolers. Measurements show a time response of about 186 μs. This value confirms the value found in the literature. Measurements also allow us to determine the total thermal tip-sample contact resistance ZThC.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 38, Issue 1, July 2005, Pages 69-75
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 38, Issue 1, July 2005, Pages 69-75
نویسندگان
Y. Ezzahri, L.D. Patiño Lopez, O. Chapuis, S. Dilhaire, S. Grauby, W. Claeys, S. Volz,