کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10643610 | 998835 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Active region design of a terahertz GaN/ Al0.15Ga0.85N quantum cascade laser
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We propose the idea of developing THz quantum cascade lasers (QCLs) with GaN-based quantum well (QW) structures with significant advantages over the currently demonstrated THz lasers in the GaAs-based material system. While the ultrafast longitudinal optical (LO) phonon scattering in AlGaN/GaN QWs can be used for the rapid depopulation of the lower laser state, the large LO-phonon energy (â¼90Â meV) can effectively reduce the thermal population of the lasing states at higher temperatures. Our analysis of one particular structure has shown that a relatively low threshold current density of 832Â A/cm2 can provide a threshold optical gain of 50/cm at room temperature. We have also found that the characteristic temperature in this structure is as high as 136 K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 37, Issue 2, February 2005, Pages 107-113
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 37, Issue 2, February 2005, Pages 107-113
نویسندگان
Greg Sun, Richard A. Soref, Jacob B. Khurgin,