کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10643611 | 998835 | 2005 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effects of hydrogen on the electronic properties of silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The effects of hydrogen on the electronic properties of silicon The effects of hydrogen on the electronic properties of silicon](/preview/png/10643611.png)
چکیده انگلیسی
Silicon (Si) with dangling bonds that are fully passivated by hydrogen (H) is investigated using the well-known non-self-consistent perturbative pseudopotential method (PPM) of M. Jaros. The role of H atoms is studied from a different point of view compared with previous works: (i) the modifications due to these atoms are calculated according to the Si bulk states, (ii) the gap variations with the Si-H bond length, and (iii) the gap variations with the Si/H band line-ups are investigated. This work is an attempt to shed light qualitatively on the role of hydrogen in the electronic properties of porous silicon (PSi).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 37, Issue 2, February 2005, Pages 115-126
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 37, Issue 2, February 2005, Pages 115-126
نویسندگان
S. Louhibi, N. Sekkal, N. Benkhettou, N.E. Chabane-Sari,