کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707171 | 1023631 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anisotropy effects during non-selective epitaxial growth of Si and SiGe materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Anisotropy effects during non-selective epitaxial growth of Si and SiGe materials Anisotropy effects during non-selective epitaxial growth of Si and SiGe materials](/preview/png/10707171.png)
چکیده انگلیسی
⺠We have shown that epitaxial film morphology depends on material, surface orientation and process conditions. ⺠Deposition kinetics depends on surface orientation. ⺠The kinetics anisotropy is based on dangling bond density and surface structure. ⺠SiGe material is more impacted by the kinetics anisotropy than that Si material. ⺠For SiGe material, kinetics anisotropy is supposed to have other contributions such as growth mode and germanium mixing considerations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 138-145
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 138-145
نویسندگان
Clément Pribat, Didier Dutartre,