Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A1. Substrates; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting III-V materials;
مقالات ISI A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Defects; A1. Stresses; A1. Surface structure; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Germanium silicon alloys;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Growth models; A1. Heat transfer; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting materials;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Adsorption; A2. Surface processes; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Nucleation; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Polysilicon production processes;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; B2. Semiconducting silicon compounds; A3. Chemical vapor deposition processes; A1. Surfaces; A1. Growth models;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Defects; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal morphology; A1. Growth model; A2 Single crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal structure; A1. Crystallites; A1. Nanostructures; A1. HRTEM (high resolution transmission electron microscopy); A3. Chemical vapor deposition processes;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; B1. Borides; B1. Strontium compounds; B2. Thermoelectric; A3. Chemical vapor deposition processes;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Metals; B1. Nanomaterials
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal morphology; A1. Growth model; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanostructures; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar Cells;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting silicon compounds
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. High resolution x-ray diffraction; A1. Nanobeam electron diffraction; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting germanium
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanostructures; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B1 Tungstates; B1. Nanomaterials
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanowires; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Elemental solids; B2. Semiconducting germanium;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Inorganic compounds; B2. Semiconducting silicon compounds;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Faceting; A1. Grain and twin boundaries; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Polysilicon films; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds;
Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; B2. Semiconducting materials; A3. Chemical vapor deposition processes; A1. Defects; B2. Semiconducting silicon compounds; A2. Growth from vapor;
The influence of temperature on the silicon droplet evolution in the homoepitaxial growth of 4H-SiC
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Surfaces; A1. Defects; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon compounds;
GeSn growth kinetics in reduced pressure chemical vapor deposition from Ge2H6 and SnCl4
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Alloys; B2. Semiconducting materials; A1. X-ray diffraction; A1. Atomic force microscopy;
Insight and control of the chemical vapor deposition growth parameters and morphological characteristics of graphene/Mo2C heterostructures over liquid catalyst
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A2. Growth from melt; A2. Single crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials;
Morphological and structural evolution on the lateral face of the diamond seed by MPCVD homoepitaxial deposition
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A2. Single crystal growth; B1. Diamond; A1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition processes;
Effect of substrate on the growth and properties of thin 3R NbS2 films grown by chemical vapor deposition
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Niobium (II) sulfide; A1. 2D materials; A1. Low dimensional structures;
Characterization of high-quality kerfless epitaxial silicon for solar cells: Defect sources and impact on minority-carrier lifetime
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A3. Epitaxial silicon; A3. Chemical vapor deposition processes; B3. Photovoltaics; A1. Line defects; B2. Semiconducting silicon; A1. Impurities;
Characterization of double Shockley-type stacking faults formed in lightly doped 4H-SiC epitaxial films
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Nanostructures; A1. X-ray topography; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds;
Controlled growth of MoS2 nanopetals on the silicon nanowire array using the chemical vapor deposition method
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon;
An analysis of the specificity of defects embedded into (1â¯0â¯0) and (1â¯1â¯1) faceted CVD diamond microcrystals grown on Si and Mo substrates by using E/H field discharge
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nucleation; A1. Optical microscopy; A1. Crystal structure; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Diamond;
Increase in silicon film deposition rate in a SiHCl3-SiHx-H2 system
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Surface processes; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;
Spectroscopic study of X-ray absorption near-edge structure of chemical states of Pt catalyst during growth of single-walled carbon nanotubes
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Absorption; A1. Growth models; A1. Nanostructure; A1. Solubility; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials;
Effects of fabrication method of Al2O3 buffer layer on Rh-catalyzed growth of single-walled carbon nanotubes by alcohol-gas-source chemical vapor deposition
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Absorption; A1. Atomic force microscopy; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials;
Synthesis of zirconia (ZrO2) nanowires via chemical vapor deposition
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanostructures; A1. Growth models; A2. Single crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides;
Hydride CVD Hetero-epitaxy of B12P2 on 4H-SiC
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Borides; B2. Semiconducting boride compounds;
Understanding the microstructures of triangular defects in 4H-SiC homoepitaxial
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Characterization; A1. X-ray topography; A1. Optical microscopy; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds;
Growth and characterization of β-Ga2O3 nanowires obtained on not-catalyzed and Au/Pt catalyzed substrates
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting gallium compounds;
Characterization of stacking faults with emission wavelengths of over 500Â nm formed in 4H-SiC epitaxial films
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Nanostructures; A1. X-ray topography; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds;
TaC-coated graphite prepared via a wet ceramic process: Application to CVD susceptors for epitaxial growth of wide-bandgap semiconductors
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Coating; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Tantalum carbide; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting silicon compounds;
Effects of hydrogen on the structural and optical properties of MoSe2 grown by hot filament chemical vapor deposition
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Inorganic compounds; B2. Semiconducting materials;
Lifetime and migration length of B-related admolecules on diamond {1Â 0Â 0}-surface: Comparative study of hot-filament and microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; B1. Diamond; A3. Chemical vapor deposition processes; A1. Doping; A1. Etching; A1. Growth models; B2. Semiconducting materials;
Impact of thickness on the structural properties of high tin content GeSn layers
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Segregation; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Atomic force microscopy; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting germanium; B2. Alloys;
Growth characteristics of corundum-structured α-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 heterostructures on sapphire substrates
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal structure; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Semiconducting ternary compounds
Germanium-catalyzed growth of single-crystal GaN nanowires
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Low dimensional structures; A1. Nanostructures; A2. Single crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides;
Synthesis and characterization of Si/ZnO coaxial nanorod heterostructure on (100) Si substrate
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanorod; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Silicon; B1. ZnO
GaN nanowire arrays by a patterned metal-assisted chemical etching
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Etching, Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Gallium compounds, Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials
Characteristic morphologies of triangular defects on Si-face 4H-SiC epitaxial films
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Chemical vapor deposition processes
A simplified reaction model and numerical analysis for Si deposition from the SiHCl3-H2 system in vertical rotating disk reactors
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;
Temperature-controlled coalescence during the growth of Ge crystals on deeply patterned Si substrates
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon
Structural analysis of the 3C|4H boundaries formed on prismatic planes in 4H-SiC epitaxial films
Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds;