کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8152015 | 1524448 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of silicon carbide epitaxial layers on 150-mm-diameter wafers using a horizontal hot-wall chemical vapor deposition
ترجمه فارسی عنوان
رشد لایه های اپی تگزیلی کاربید سیلیکون بر روی ورقه های با قطر 150 میلی متری با استفاده از یک رسوب بخار
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
Epitaxial layers on a 150-mm-diameter silicon carbide wafer have been grown using a horizontal hot-wall chemical vapor deposition system for three 150-mm-diameter wafers. We investigated the surface morphology and surface defects such as shallow pits and triangular defects of the grown epitaxial layers, as well as the thickness and carrier concentration uniformities. The shallow pit and triangular defect densities were 4.6Â cmâ2 and 1.6Â cmâ2, respectively, and the thickness and the carrier concentration uniformities were 3.9% and 47%, respectively. We focused on improving the carrier concentration distribution for practical use and concluded that the cause of the distribution was the distribution in the effective C/Si ratio in the direction of the gas flow.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 381, 15 October 2013, Pages 139-143
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 381, 15 October 2013, Pages 139-143
نویسندگان
Keiko Masumoto, Chiaki Kudou, Kentaro Tamura, Johji Nishio, Sachiko Ito, Kazutoshi Kojima, Toshiyuki Ohno, Hajime Okumura,