کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489335 | 1524354 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of spiral growth on 4H-silicon carbide on-axis substrates
ترجمه فارسی عنوان
بررسی رشد مارپیچ بر روی چهار محور سیلیکون کاربید بر روی محوری
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
We grew epitaxial layers on on-axis carbon-face 4H-silicon carbide substrates and investigated the growth conditions for the generation of spiral growth. We discovered that spiral growth occurs in regions where the local off-angle is less than 0.05° and when the spiral hillocks have a tilt angle of 0.06°. Moreover, we found that each spiral hillock coalesced without causing dislocation in the areas where the spiral growth occurred. Our results indicate that spiral growth is dominant when the spiral hillocks have a tilt angle greater than the off-angle of the substrate. Step-flow growth is overcome by spiral growth because the rate of spiral growth is greater than that of step-flow growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 475, 1 October 2017, Pages 251-255
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 475, 1 October 2017, Pages 251-255
نویسندگان
Keiko Masumoto, Kazutoshi Kojima, Hajime Okumura,