دانلود مقالات ISI درباره A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی + ترجمه فارسی

In-situ surface preparation of nominally on-axis 4H-SiC substrates

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.65.CF; 81.15.GH; 81.65.−b; 82.40.−g; 68.37.Ps; 61.72.Ff; A1. Atomic force microscopy; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Study of triangular defects and inverted pyramids in 4H-SiC 4° off-cut (0 0 0 1) Si face epilayers

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 81.10.Aj; 81.10.Bk; 81.05.Hd; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth kinetics and boron doping of very high Ge content SiGe for source/drain engineering

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 81.15.Aa; 68.55.−aA1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Germanium silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Nitrogen doping of 3C-SiC thin films grown by CVD in a resistively heated horizontal hot-wall reactor

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Hd; 81.15.GhA1. Doping; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot wall epitaxy; B1. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Geometric modeling of homoepitaxial CVD diamond growth: I. The {1 0 0}{1 1 1}{1 1 0}{1 1 3} system

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A2. Single crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Diamond;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Study on the initial growth process of crystalline silicon films on aluminum-coated polyethylene napthalate by Raman spectroscopy

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.10.BkA1. Micro-structural characterization; A1. Plastic substrates; A1. Raman spectroscopy; A1. Transmission electron microscopy; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Crystalline silicon films

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of Ge on a thin SiO2 layer by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 68.47.Fg; 68.35.FxA1. Crystal structure; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The growth and field electron emission of InGaN nanowires

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.07.BcA1. InGaN nanowires; A3. Chemical vapor deposition processes; B3. Field electron emission

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Microstructures diagram of magnetron sputtered AlN deposits: Amorphous and nanostructured films

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.C; 81.10.A; 73.61.JA1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Aluminium nitride; B2. Piezoelectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

GaN nanorings: Another example of spontaneous polarization-induced nanostructure

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Ea; 42.65.Dr; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

High-quality diamond films grown at high deposition rates using high-power-density MWPCVD method with conventional quartz-type chamber

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 81.05.Um; 78.60.Hk; 73.50.−h; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Diamond; B3. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of SiC nanowires within stacked SiC fiber fabrics by a noncatalytic chemical vapor infiltration technique

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.70.+w; 81.05.Mh; 81.15.GhA1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Composites

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Modeling studies of the chemical vapor deposition of boron films from B2H6

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Borates; B2. Superconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth feature of layered self-standing diamond films by DC arc plasma jet CVD

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Zx; 81.15.Gh; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Diamond;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of vicinal angles from (0 0 1) surface on the Boron-doping features of high-quality homoepitaxial diamond films grown by the high-power microwave plasma chemical-vapor-deposition method

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05Uw; 81.15Gh; 78.60Hk; 71.35.−yA1. Doping; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Diamond; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Reduction of defects propagating into 3C-SiC homoepilayers by reactive ion etching of 3C-SiC heteroepilayer substrates

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.72.Mm; 61.72.Qq; 81.05.Je; 81.10.Aj; 81.15.GhAl. Crystal morphology; A1. Defects; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and characterization of boron-doped (111) CVD homoepitaxial diamond films

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.55.Jk; 68.55.Ln; 73.61.Cw; 81.15.Gh; A1. Characterization; A1. Doping; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Homoepitaxial growth; B1. Diamond (111); B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Low temperature growth kinetics of high Ge content SiGe in reduced pressure-chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 81.15.Aa; 68.55.−aA1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Germanium silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Room-temperature growth of single-crystalline TiO2 thin films on nanometer-scaled substrates by dc magnetron sputtering deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.66.Fn; 68.37.Lp; 68.55.JkA1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Titanium compounds; B2. Dielectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Zno-based thin films synthesized by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.72.Vv; 68.55.Jk; 72.80.Ey; 73.61.Ga; 78.66.Hf; 81.05.Dz; 81.15.GhA1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of nitrogen-doped SiC boules by halide chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Bx; 81.10.Bk; A1. Doping; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Progress in epitaxial deposition on low-cost substrates for thin-film crystalline silicon solar cells at IMEC

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Defects; A3. Chemical vapor deposition processes; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The growth and characterization of ZnSe nanoneedles by a simple chemical vapor deposition method

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 52.75.R; 65.50; 81.05.E; 81.05.YA1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Gallium-based catalysts for growth of GaN nanowires

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.46; 81.05.DA1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. GaN; B2. Nanowires; B2. Semiconducting III–V compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of high purity GaN nanowires

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.10.Aj; 81.15.GhA1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth and characterization of nitrogen-doped C-face 4H-SiC epilayers

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 68.55.Jk; 68.55.LnA1. Crystal morphology; A1. Doping; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial B12As2 on silicon substrates

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Kk; 61.10.NzA1. Nucleation; A1. Substrates; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Semiconducting boride compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growing carbon nanotube nanojunctions on an aluminum substrate

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.07.De; 81.07.Nb; 81.20.KaA1. Carbon nanotube; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Hydrogen plasma etching mechanism on (0 0 1) diamond

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.55.Cf; 68.37.Ps; 68.55.−a; 81.15.GhA1. Atomic force microscopy; A1. Etching; A1. Low CH4/H2 ratio growth; A1. Misorientation angle; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Diamond

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dependence of stacking fault and twin densities on deposition conditions during 3C-SiC heteroepitaxial growth on on-axis Si(0 0 1) substrates

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.72.Mm; 61.72.Nn; 81.05.Je; 81.10Aj; 81.15.GhAl. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Planar defects; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

High growth rates (>30 μm/h) of 4H-SiC epitaxial layers using a horizontal hot-wall CVD reactor

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; A1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Modeling of large-scale horizontal reactor for silicon epitaxy

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 47.85.Np; A1. Fluid flows; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structure, stability and photoelectronic properties of transition films from amorphous to microcrystalline silicon

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 36.40.Ei; 81.15.Gh; 81.07.−b; 81.30.−t; A1. Nanostructures; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Gas-flow assisted bulk synthesis of V-type SnO2 nanowires

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.G; 61.46; A1. Crystal morphology; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Modeling of epitaxial silicon carbide deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 81.15.Aa; A1. Fluid flows; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor materials; B2. Semiconductor silicon carbide compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Transient wafer deflection in Si epitaxy

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The growth of nano-scale diamond tips on diamond/Si

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.07.−b; 81.05.Uw; 61.46.Tw; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Diamond;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High rate growth of thick diamond films by high-current hot-cathode PCVD

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.55.Jk; 66.70.+f; 81.15.Gh; 81.05.Tp; A1. Deposition rate; A1. Thermal conductivity; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Diamond films;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Synthesis of ZnO nanowires and nanosheets by an O2-assisted carbothermal reduction process

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 52.75.R; 65.50; 81.05.E; 81.05.Y; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Microstructure characterization of δ-Bi2O3 thin film under atmospheric pressure by means of halide CVD on c-sapphire

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.35.Ct; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Bismuth compounds; B1. Halides; B1. Oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Radial spherical ZnO structures with nanorods grown on both sides of a hollow sphere-like core

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05; 81.15.G; 68.65; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. ZnO; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

SiC epitaxial growth on Si(0 0 1) substrates using a BP buffer layer

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.−z; A1. Defect; A1. Growth mechanism; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. 3C-SiC; B1. Phosphides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and optical characterization of high-quality GaN nanobelts

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Ea; 42.65.Dr; A1. Characterization; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Process-induced transfer pattern in Si epitaxy using pocket susceptor

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Parallel molecular dynamics simulation on thin-film formation process

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.46+w; 82.20.Wt; A1. Computer simulation; A1. Substrates; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Thin film;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Crystal growth of B12As2 on SiC substrate by CVD method

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 71.20.Nr; 71.55.Eq; 72.80.Ey; 73.61; A1. Characterization; A2. Crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Thin relaxed SiGe virtual substrates grown by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 61.72.Ff; 72.20.Fr; 73.21.Fg; 73.63.Hs; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Germanium silicon alloys; B3. Modulation-doped quantum wells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of sapphire annealing in trimethylgallium atmosphere on GaN epitaxy by MOCVD

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.55; 81.15; 61.72; 78.55; A1. Crystal morphology; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Nucleation; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Metalorganic chemical vapor deposition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Microscopic contact and slip in Si epitaxy

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Dislocation; B2. Semiconductor silicon; B2. Slip;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Gadolinium oxide thin films by atomic layer deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 77.55.+f; 79.60.Dp; 81.15.Gh; A3. Atomic layer deposition; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Gadolinium compounds; B1. Oxides; B2. Dielectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه