کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829406 | 1524490 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and optical characterization of high-quality GaN nanobelts
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Large quantities of high-quality GaN nanobelts were successfully grown on a Ni-coated LaAlO3 substrate by a direct reaction of milled Ga2O3 powders and NH3. The width of the nanobelts is in the range from 100 nm to 1 μm, and the ratio of thickness to width is about 110. The maximum length is up to several tens of micrometers. The clear lattice fringes in the high-resolution transmission electron microscopy images indicate the growth of good-quality hexagonal single-crystal GaN nanobelts. The Raman spectrum exhibits two additional peaks at 256 and 422 cmâ1. The photoluminescence spectrum reveals a broad, strong blue emission band centered at 2.65 eV. The growth mechanism of the GaN nanobelts is briefly discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 283, Issues 3â4, 1 October 2005, Pages 418-424
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 283, Issues 3â4, 1 October 2005, Pages 418-424
نویسندگان
M. Zhao, X.L. Chen, J.K. Jian, X.N. Zhang, H.Z. Zhao, Y.P. Xu,