دانلود مقالات ISI درباره A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی + ترجمه فارسی

Improvement on the synthesis technique of ultrananocrystalline diamond films by using microwave plasma jet chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystallites; A1. Near-edge X-ray absorption fine structure spectrum (NEXAFS); A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Microwave plasma jet chemical vapor deposition (MPJCVD); B1. Diamond; B1. Ultrananocrystalline diamond (UNCD)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Influence of reaction conditions on the growth of GaN rods in an ammono-CVD reactor

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Surface preparation of Si(1 0 0) by thermal oxide removal in a chemical vapor environment

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Si(1 0 0) surface; A1. Surface structure; A1. X-ray photoelectron spectroscopy; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hydrogen annealing; A3. Vapor phase epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Different architectures of relaxed Si1−xGex/Si pseudo-substrates grown by low-pressure chemical vapor deposition: Structural and morphological characteristics

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; B1. Silicon germanium; A1. Threading dislocations; A1. Strain relaxation; A3. Chemical vapor deposition processes; A1. Crystal morphology; A5. Implantation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Smooth and high quality epitaxial strained Ge grown on SiGe strain relaxed buffers with 70–85% Ge

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Surface roughness; A1. Interface contamination; A3. Chemical Vapor Deposition processes; B2. Strained Ge; B2. Virtual substrates

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Doping; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Anisotropy effects during non-selective epitaxial growth of Si and SiGe materials

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Chrystal morphology; A1. Surface structure; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Non-selective morphology; B1. Silicon; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Controllable growth of GeO2 nanowires with the cubic and hexagonal phases and their photoluminescence

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigations of defect evolution and basal plane dislocation elimination in CVD epitaxial growth of silicon carbide on eutectic etched epilayers

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Defects; A1. Basal plane dislocation; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

In situ control of Au-catalyzed chemical vapor deposited (CVD) Ge nanocone morphology by growth temperature variation

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanostructures; A3. Catalyzed growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication of high-electron-mobility ZnO epilayers by chemical vapor deposition using catalytically produced excited water

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Catalytic processes; A3. Hot water; A3. Thin film; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

CdTe nanoparticles for the deposition of CdTe films using close spaced sublimation

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B1. Tellurides; B2. Semiconducting cadmium compounds; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth and phase stabilization of HfO2 thin films by ALD using novel precursors

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 77.55.+f; 68.55.Ln; A3. Atomic layer deposition; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Dielectric materials; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Ordered arrays of epitaxial silicon nanowires produced by nanosphere lithography and chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Silicon nanowires; A2. Single crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

In2O3 nanorod arrays grown at grain-boundary triple junctions of Cu–Sn alloy substrate

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Substrates; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of graphitic carbon on C-face SiC and sapphire by chemical vapor deposition (CVD)

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Graphene; B1. Graphite

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Microstructure of SiC fiber fabricated by two-stage chemical vapor deposition on tungsten filament

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal structure; A1. Interface; A1. Defects; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Inorganic compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Low temperature Si homo-epitaxy by reduced pressure chemical vapor deposition using dichlorosilane, silane and trisilane

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal structure; A1. Desorption; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Comparison of charge generation from hot wires between AC and DC power supply and its effect on deposition behavior during hot-wire chemical vapor deposition of silicon

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanostructure; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Polycrystalline film; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

High yield–low temperature growth of indium sulphide nanowires via chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B1. Sulfides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Structure and morphology of Ru films grown by atomic layer deposition from 1-ethyl-1’-methyl-ruthenocene

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal morphology; A1. Substrates; A1. Roughening; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Polycrystalline deposition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Selective epitaxial growth of Ge(1 1 0) in trenches using the aspect ratio trapping technique

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Defects; A1. Stresses; A1. Surface structure; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Impact of the H2 anneal on the structural and optical properties of thin and thick Ge layers on Si; Low temperature surface passivation of Ge by Si

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Surface structure; A1. Volume defects; A1. Diffusion; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth of cubic silicon carbide on oxide using polysilicon as a seed layer for micro-electro-mechanical machine applications

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 68.55.−a; N61.05.Cp; 68.37.Ps; 68.37.HkA1. X-ray diffraction; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Silicon Carbide; B3. MEMS devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Formation of gallium nitride particles during the two-stage chemical vapor process

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.05.cp; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A1. Characterization; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Phosphors; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Formation of micrometer-order-thick poly-Si films on textured glass substrates by flash lamp annealing of a-Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.10.Jt; 81.40.Ef; 84.60.Jt; A1. Recrystallization; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells; A3. Chemical vapor deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Crystallographic properties of grain size-controlled polycrystalline silicon thin films deposited on alumina substrate

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystallites; A1. Defects; A3. Chemical vapor deposition processes; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Transition between amorphous and crystalline phases of SiC deposited on Si substrate using H3SiCH3

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.37.Og; 68.55.ag; 81.05.Gc; 81.07.Bc; 81.15.Gh; 82.80.EjA1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Amorphous; B1. Nanomaterials; B1. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Deposition of undoped indium oxide thin films on stripe-patterned substrates by spray CVD

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.G; 68.55.−aA1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis and properties of triangular-shaped GaN nanorods via growth mode control

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.46.Hk; 61.46.−w; 81.15.Gh; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Acceptor incorporation in SiC epilayers grown at high growth rate with chloride-based CVD

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Hd; 81.10.Bk; 81.15.Gh; A1. Doping; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot wall epitaxy; B1. Silicon carbide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Modeling studies of an impinging jet reactor design for hybrid physical-chemical vapor deposition of superconducting MgB2 films

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 74.70.Ad; 74.78.−w; 81.15.Gh; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Borates; B2. Superconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Donor incorporation in SiC epilayers grown at high growth rate with chloride-based CVD

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Hd; 81.10.Bk; 81.15.Gh; A1. Doping; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot wall epitaxy; B1. Silicon carbide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Thick homoepitaxial layers grown on on-axis Si-face 6H- and 4H-SiC substrates with HCl addition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05 Hd; 81.10 Aj; 81.15 GhA1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition processes; B. Silicon carbide; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and structural properties of SiGe virtual substrates on Si(1 0 0), (1 1 0) and (1 1 1)

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Gh; 68.55.−a; A1. Defects; A1. Crystal morphology; A1. Surface structure; A1. Substrates; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The large-sized diamond single-crystal synthesis by hot filament CVD

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Uw; 81.15.Gh; 81.10.−hA2. Growth from vapor; A2. Single-crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Diamond

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Low-temperature CVD synthesis route to GaN nanowires on silicon substrate

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B1. Oxides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A strategy to control the chirality of single-walled carbon nanotubes

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.46.Fg; 68.37.Og; 81.16.BeA1. Crystal structure; A2. Chirality; A3. Chemical vapor deposition processes; A4. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characteristics of in-situ phosphorus-doped silicon selective epitaxial growth at atmospheric pressure

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.65.Cf; 81.15.GhA1. Etching; A1. Segregation; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Selective epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of ZnO nanorings with ZnO nanowires array aligned at the inner surface without catalyst

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.46.−w; 78.55.Et; 81.15.GhA1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B1. Zinc compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Simple technique for measuring the filled volume of liquid or solid CVD precursor chemicals in bubblers

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.−z; 85.40.Sz; 81.15.GhA2. Growth from vapor; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Vapor phase epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of the electric bias on the deposition behavior of silicon films on glass during hot-wire chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.55.Jk; 81.07.Bc; 81.10.Bk; 81.15.Gh; A1. Characterization; A1. Crystallites; A1. Electric bias; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Improvement of luminescence from Si nanocrystals with thermal annealing in CO2

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 78.55.−m; 78.67.Ch; 78.68.+mA1. Nanoclusters; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effect of electric bias on the deposition behavior of silicon on flexible polyethylene terephthalate (PET) during hot-wire chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.07.Bc; 81.15.Gh; 81.10.Bk; 81.16.Hc; A1. Crystallites; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Self-assembled one-dimensional hierarchical SiC nanostructures: Microstructure, growth mechanism, and optical properties

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.70.+w; 81.05.Mh; 81.15.Gh; 81.15.KkA1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of thick p-type SiC epitaxial layers by halide chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Bx; 81.10.Bk; A1. Doping; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of HfB2(0 0 0 1) on Si(0 0 1) by etching through a SiO2 layer

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15.Hi; 68.55.JkA1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Metal diborides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Low surface roughness and threading dislocation density Ge growth on Si (0 0 1)

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.72.uj; 68.55.−a; 68.37.PsA1. Atomic force microscopy; A2. Single crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Sublimation growth of an in-situ-deposited layer in SiC chemical vapor deposition on 4H-SiC(1 1 2¯ 0)

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.37.Lp; 68.37.Ps; 68.47.Fg; 68.55.Ln; 68.49.Sf; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B1. Silicon carbide; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of magnesium source on the crystallization behaviors of magnesium hydroxide

Keywords: A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.10.Dn; 82.35.Np; 82.70.DdA1. Crystal morphology; A2. Growth from solutions; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Magnesium chloride; B1. Magnesium dodecyl sulfate; B1. Magnesium hydroxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه