کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830202 | 1524504 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of large-scale horizontal reactor for silicon epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A detailed 3D simulation of a large-scale industrial cold-wall horizontal reactor for epitaxial silicon deposition is presented. Simulations showed that realistic inlet jets description is necessary to obtain a reliable picture of the system. Different chamber geometries are analyzed with the aim of reducing the “memory effects” during the dopant switching in junction production inside the same reactor chamber without wafers loading and unloading. Configurations inducing a graded gas expansion have been identified as contributing to the solution of the problem.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 1â2, 15 February 2005, Pages e289-e293
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 1â2, 15 February 2005, Pages e289-e293
نویسندگان
Alessandro Veneroni, Davide Moscatelli, Maurizio Masi,