کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795606 | 1023725 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaN nanorings: Another example of spontaneous polarization-induced nanostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Single-crystal GaN nanorings were synthesized by a vapor-solid process. The detailed morphological and crystallographic characterizations of these GaN nanorings were carried out to reveal their formation mechanism. The results presented here demonstrate that the formation of GaN nanorings can be explained by the self-bending of nanobelts due to the surface spontaneous polarization. GaN nanoring is another example of spontaneous polarization-induced nanostructure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 303, Issue 2, 15 May 2007, Pages 427-432
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 303, Issue 2, 15 May 2007, Pages 427-432
نویسندگان
J.K. Jian, Z.H. Zhang, Y.P. Sun, M. Lei, X.L. Chen, T.M. Wang, Cong Wang,