کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1789713 | 1524390 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Germanium-catalyzed growth of single-crystal GaN nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report the use of Germanium (Ge) as catalyst for Gallium Nitride (GaN) nanowires growth. High-yield growth has been achieved with Ge nanoparticles obtained by dewetting a thin layer of Ge on a Si (100) substrate. The nanowires are long and grow straight with very little curvature. The GaN nanowires are single-crystalline and show a Wurtzite structure growing along the [0001] axis. The growth follows a metal-free Vapor-Liquid-Solid (VLS) mechanism, further allowing a CMOS technology compatibility. The synthesis of nanowires has been done using an industrial Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) system.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 439, 1 April 2016, Pages 28-32
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 439, 1 April 2016, Pages 28-32
نویسندگان
Umar Saleem, Hong Wang, David Peyrot, Aurélien Olivier, Jun Zhang, Philippe Coquet, Serene Lay Geok Ng,