کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8151858 | 1524446 | 2013 | 31 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimization of a buffer layer for cubic silicon carbide growth on silicon substrates
ترجمه فارسی عنوان
بهینه سازی یک لایه بافر برای رشد سیلیکون کاربید در بستر سیلیکون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
A1. Characterization - A1 تعیین مشخصاتA1. Atomic force microscopy - A1 میکروسکوپ نیروی اتمیA1. X-ray diffraction - A1 پراش اشعه ایکسA3. Hot wall epitaxy - A3 اپیتاکسی دیوار داغA3. Chemical vapor deposition processes - A3 فرایندهای رسوبدهی بخار شیمیاییB2. Semiconducting silicon compounds - B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
A procedure for the optimization of a 3C-SiC buffer layer for the deposition of 3C-SiC/(001) Si is described. After a standard carbonization at 1125 °C, SiH4 and C3H8 were added to the gas phase while the temperature was raised from 1125 °C to the growth temperature of 1380 °C with a controlled temperature ramp to grow a thin SiC layer. The quality and the crystallinity of the buffer layer and the presence of voids at the SiC/Si interface are related to the gas flow and to the heating ramp rate. In order to improve the buffer quality the SiH4 and C3H8 flows were changed during the heating ramp. On the optimized buffer no voids were detected and a high-quality 1.5 μm 3C-SiC was grown to demonstrate the effectiveness of the described buffer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 383, 15 November 2013, Pages 84-94
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 383, 15 November 2013, Pages 84-94
نویسندگان
Matteo Bosi, Giovanni Attolini, Marco Negri, Cesare Frigeri, Elisa Buffagni, Claudio Ferrari, Tiziano Rimoldi, Luigi Cristofolini, Lucrezia Aversa, Roberta Tatti, Roberto Verucchi,