کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707211 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
(1Â 0Â 0) GaAs/AlxGa1âxAs heterostructures for Zeeman spin splitting studies of hole quantum wires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have developed undoped (1Â 0Â 0) GaAs/Al0.34Ga0.66As heterostructures, in which a 2D hole system is introduced by a heavily carbon doped field effect gate. We compare transport and mobility data from these (1Â 0Â 0) undoped devices with conventional Si modulation doped p-type devices grown on (3Â 1Â 1) substrates. Finally we present conductance quantization data for hole quantum wires made of these (1Â 0Â 0) heterostructures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 48-51
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 48-51
نویسندگان
K. Trunov, D. Reuter, A. Ludwig, J.C.H. Chen, O. Klochan, A.P. Micolich, A.R. Hamilton, A.D. Wieck,