کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707216 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth by molecular beam epitaxy of amorphous and crystalline GaNAs alloys with band gaps from 3.4 to 0.8Â eV for solar energy conversion devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using low temperature MBE, we have shown that it is possible to grow amorphous GaN1âxAsx layers with a variable As content (0
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 60-63
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 60-63
نویسندگان
S.V. Novikov, C.R. Staddon, C.T. Foxon, K.M. Yu, R. Broesler, M. Hawkridge, Z. Liliental-Weber, J. Denlinger, I. Demchenko, F. Luckert, P.R. Edwards, R.W. Martin, W. Walukiewicz,