کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707218 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Role of strain in growth kinetics of AlGaN layers during plasma-assisted molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Comparative study of growth kinetics of the AlxGa1âxN (x=0-1) layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA MBE) under different growth conditions (group III to activated nitrogen and Al to Ga flux ratios) is presented. The strong influence of elastic stress on the surface morphology, growth rate and Al content in AlxGa1âxN (x=0-1) layers is most pronounced for the AlxGa1âxN films with high Al-content grown atop of the 2D-AlN buffer layer at near the unity flux ratio FIII/FNâ¼1. The use of strong Ga-rich growth conditions with FIII/FNâ¼1.6-2 for the growth of AlxGa1âxN/2D-AlN with high Al-content (x>0.25) allows one to reduce the strain effect as well as provide smooth surface morphology and precise control of Al content in the AlxGa1âxN (x=0-1) layers by employing a simple ratio x=FAl/FN.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 68-71
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 68-71
نویسندگان
A.M. Mizerov, V.N. Jmerik, M.A. Yagovkina, S.I. Troshkov, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov,