کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707229 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Rare-earth oxide superlattices on Si(1Â 1Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Digital epitaxial rare-earth oxide layers are grown on Si(1 1 1) substrates by molecular beam epitaxy at substrate temperatures as low as 200 °C. It is demonstrated by X-ray diffraction and transmission electron microscopy that coherent digital layers form with an abrupt interface to the substrate. Theoretical investigations employing density functional theory demonstrate the potential in designing physical properties by strain. The large lattice mismatch of 9% between La2O3 and Lu2O3 allows for an intentional variation of the internal strain in the layers over a wide range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 95-98
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 95-98
نویسندگان
Frank Grosse, Sergiy Bokoch, Steffen Behnke, Andre Proessdorf, Michael Niehle, Achim Trampert, Wolfgang Braun, Henning Riechert,