کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707317 | 1023644 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
CdSe quantum dots grown on a Zn0.2Mg0.8S0.64Se0.36 barrier: MBE growth and μ-PL characterisation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We also discuss the possible mechanism behind the spectral diffusion seen in these measurements. Correlation of emission intensity from single-dot emission lines was also observed over much longer time periods (â¼200Â s). These results will be compared with previous results from CdSe dots grown on ZnSe barriers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 236-240
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 236-240
نویسندگان
I.A. Davidson, R.T. Moug, P.A. Dalgarno, C. Bradford, R.J. Warburton, K.A. Prior,