کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707347 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaP/GaAs1âxPx nanowires fabricated with modulated fluxes: A step towards the realization of superlattices in a single nanowire
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Compositionally modulated GaP/GaAs1âxPx nanowires are grown by molecular beam epitaxy in the vapor liquid solid mode using Au as catalyst. By periodically supplying As, we achieve atomically flat and abrupt interfaces along the whole length of the nanowires. This is a step towards the realization of superlattices in nanowires.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 293-296
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 293-296
نویسندگان
F. Jabeen, G. Patriarche, F. Glas, J.-C. Harmand,