کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707377 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Studies on the InGaGdN/GaN magnetic semiconductor heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
InGaGdN single-layer and InGaGdN/GaN superlattice (SL) structures were grown on the MOVPE-grown GaN (0Â 0Â 0Â 1) template substrates by radio frequency molecular beam epitaxy. X-ray diffraction spectroscopy and X-ray absorption fine structure data showed no existence of a secondary phase such as GdN or InN and the Gd atom occupation at the group-III site. Magnetization versus magnetic field curves exhibited clear hysteresis and saturation at both 10 and 300Â K. The InGaGdN/GaN SL sample showed higher saturation magnetization per volume than the InGaGdN single-layer sample.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 351-354
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 351-354
نویسندگان
S.N.M. Tawil, D. Krishnamurthy, R. Kakimi, S. Emura, S. Hasegawa, H. Asahi,