کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707466 | 1023647 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of temperature on the mutual diffusion of Ge/GaAs and GaAs/Ge
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of temperature on the mutual diffusion of Ge/GaAs and GaAs/Ge Effect of temperature on the mutual diffusion of Ge/GaAs and GaAs/Ge](/preview/png/10707466.png)
چکیده انگلیسی
As it is well known, the diffusivity of the atoms (e.g. Ga, As, Ge) and intermixing of layers during sample preparation strongly depend on the substrate temperature. We found that the use of a low temperature GaAs buffer layer reduced the diffusion in GaAs/Ge epitaxy at 600 °C; while a Ge low temperature buffer layer was not effective in reducing the interdiffusion in Ge/GaAs epitaxy at 700 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 318, Issue 1, 1 March 2011, Pages 367-371
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 318, Issue 1, 1 March 2011, Pages 367-371
نویسندگان
Matteo Bosi, Giovanni Attolini, Claudio Ferrari, Cesare Frigeri, Marco Calicchio, Francesca Rossi, Kálmán Vad, Attila Csik, Zsolt Zolnai,