کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10999985 | 1420636 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determining the charge states and capture mechanisms of defects in silicon through accurate recombination analyses: A review
ترجمه فارسی عنوان
تعیین حالت شارژ و مکانیزم ضبط از نقص در سیلیکون از طریق تجزیه و تحلیل دقیق بازسازی: بررسی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
طیف سنجی طول عمر وابسته به دما و تزریق، طیف سنجی گذرا سطح عمیق، دوباره سازی سوراخ سوراخ عیوب، سیلیکون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 187, 1 December 2018, Pages 263-272
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 187, 1 December 2018, Pages 263-272
نویسندگان
Fiacre E. Rougieux, Chang Sun, Daniel Macdonald,