کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10999985 1420636 2018 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determining the charge states and capture mechanisms of defects in silicon through accurate recombination analyses: A review
ترجمه فارسی عنوان
تعیین حالت شارژ و مکانیزم ضبط از نقص در سیلیکون از طریق تجزیه و تحلیل دقیق بازسازی: بررسی
کلمات کلیدی
طیف سنجی طول عمر وابسته به دما و تزریق، طیف سنجی گذرا سطح عمیق، دوباره سازی سوراخ سوراخ عیوب، سیلیکون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی کاتالیزور
پیش نمایش مقاله
تعیین حالت شارژ و مکانیزم ضبط از نقص در سیلیکون از طریق تجزیه و تحلیل دقیق بازسازی: بررسی
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 187, 1 December 2018, Pages 263-272
نویسندگان
, , ,